s3d-q ... s3m-q s3d-q ... s3m-q surface mount silicon rectifier diodes (aec-q101) silizium-gleichrichterdioden fr die oberfl?chenmontage (aec-q101) version 2014-09-09 dimensions - ma?e [mm] nominal current nennstrom 3 a repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 200...1000 v plastic case kunststoffgeh?use ~ smc ~ do-214ab weight approx. C gewicht ca. 0.21 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped and reeled standard lieferform gegurtet auf rolle maximum ratings grenzwerte type typ repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] surge peak reverse voltage sto?spitzensperrspannung v rsm [v] s3d-q 200 200 s3g-q 400 400 s3j-q 600 600 S3K-Q 800 800 s3m-q 1000 1000 max. average forward rectified current, r-load dauergrenzstrom in einwegschaltung mit r-last t t = 100c i fav 3 a repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom f > 15 hz i frm 20 a 1 ) peak forward surge current, 50/60 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50/60 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 100/110 a rating for fusing C grenzlastintegral, t < 10 ms t a = 25c i 2 t 50 a 2 s junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+150c -50...+150c 1 mounted on p.c. board with 60 mm 2 copper pads at each terminal montage auf leiterplatte mit 60 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 0.15 type typ 1.2 3 5 . 8 0 . 2 2 . 2 0 . 3 2 . 1 0 . 2 7.9 0.2 7.2 0.5
s3d-q ... s3m-q characteristics kennwerte forward voltage C durchlass-spannung t j = 25c i f = 3 a v f < 1.15 v leakage current sperrstrom t j = 25c t j = 125c v r = v rrm v r = v rrm i r i r < 1 a < 200 a thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 36 k/w 1 ) thermal resistance junction to terminal w?rmewiderstand sperrschicht ? anschluss r tht < 10 k/w 1 mounted on p.c. board with 60 mm 2 copper pads at each terminals montage auf leiterplatte mit 60 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag rated forward current vs. temp. of the terminals in abh. v. d. temp. der terminals zul. richtstrom 120 100 80 60 40 20 0 i fav [%] [c] t t 150 100 50 0 10 10 1 10 10 2 -1 -2 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 v f 0.8 1.0 1.2 1.4 [v] 1.8 t = 25c j t = 125c j 100a-(3a-1.2v) peak forward surge current versus number of cycles at 50 hz durchla?-spitzenstrom in abh. von der zahl der halbwellen bei 50 hz 10 10 1 2 [a] ? f 1 10 10 [n] 10 2 3
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